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首页 > 供应产品 > 半导体级SiC合成原料6N超高纯度石墨粉 西格里V2298 耐高温导电
半导体级SiC合成原料6N超高纯度石墨粉 西格里V2298 耐高温导电
单价 200.00 / 件对比
询价 暂无
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发货 江苏南京市付款后3天内
品牌 宁波弘信新材料科技有限公司
过期 长期有效
更新 2025-03-03 14:48
 
详细信息
碳化硅、SiC、石墨纸、石墨箔、SGL材料、高温技术、石墨粉、高纯石墨粉、6N超高纯、半导体级SiC合成原料  
 
半导体级SiC合成原料6N超高纯度石墨粉 西格里V2298 耐高温导电
 
产品概述 
西格里6N超高纯度石墨粉是专为第三代半导体碳化硅(SiC)单晶生长研发的核心原料,纯度达99.9999%(6N级),严格符合半导体行业对痕量杂质(硼、铝、钒等)的ppm级控制要求。本产品采用德国西格里集团专利提纯工艺,结合高温热化学处理技术,确保纳米级颗粒均匀性(D50≤1μm),适用于物理气相传输法(PVT)生长高质量SiC晶体,满足新能源汽车、5G通信、光伏等高端领域需求[[3]。
核心特性 
1. 超高纯度与稳定性 
   通过2700℃高温提纯及多级化学纯化工艺,金属杂质含量低于0.1ppm,氮浓度≤5ppb,有效避免SiC晶体电学性能劣化,为制备半绝缘衬底提供可靠保障[[7]。 
2. 耐极端高温环境 
   石墨粉在2000~2500℃的SiC晶体生长炉中表现优异,热膨胀系数低至4.5×10
⁻⁶/℃,可长期耐受高温熔融硅蒸汽环境,确保晶体生长过程稳定性[[6]。 
3. 优异导电与热导性能 
   电阻率≤15μΩ·m,热导率高达120W/(m·K),适配高频功率器件对材料导电和散热需求,广泛应用于SiC外延片、MOSFET及IGBT芯片制造[[5]。 
应用场景 
- SiC单晶衬底合成:作为PVT法核心碳源,与高纯硅粉反应生成SiC微粉,用于4H-SiC导电型及半绝缘型晶圆生产[[4]。 
- 半导体设备关键部件:用于制造长晶炉石墨坩埚、加热器等耐高温组件,保障设备在极端工况下的使用寿命[[8]。 
工艺与质量认证 
本产品通过ISO 9001质量管理体系认证,符合《碳化硅单晶用高纯石墨粉》行业标准(碳含量≥99.9996%),支持定制粒径(800~15000目)及微量元素控制,满足客户差异化需求。 
“现货直发/支持试样”;针对科研客户,可补充“提供XRD、GDMS全项检测报告”等增值服务。
更多信息访问宁波弘信官网:www.hon-sin.com,24小时服务热线13636546116
公司名称:宁波弘信新材料科技有限公司
营销中心:上海市青浦区徐泾镇沪青平公路2008号
生产基地:浙江省宁波市慈溪市滨海四路325号
智碳未来·近享方案——弘信新材24小时热线:13636546116
官网:HTTPS://WWW.hon-sin.com/
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